特許

J-GLOBAL ID：200903054843707520

薄膜トランジスタ、その製造方法及び液晶表示装置

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272132
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097701
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 特性が劣化しにくい薄膜トランジスタ、その製造方法及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】 一つのゲート電極14の下に形成される複数のチャネル領域16と、各チャネル領域16を挟むソース領域18及びドレイン領域20と、を有し、各ソース領域18は相互に接続され、各ドレイン領域20は相互に接続され、各チャネル領域16のチャネル幅Wと、各チャネル領域16同士の間隔Sは、W≦Sの関係を有する。

請求項（抜粋）：

一つのゲート電極の下に形成される複数のチャネル領域と、各チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域と、を有し、各ソース領域は相互に接続され、各ドレイン領域は相互に接続され、各チャネル領域のチャネル幅Wと、各チャネル領域同士の間隔Sは、W≦Sの関係を有する薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 611 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-268767
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-324607   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027830   出願人：三星電子株式会社
• 特開平4-268767