特許
J-GLOBAL ID:200903054852944518
有機EL表示装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 元彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-266449
公開番号(公開出願番号):特開2004-103488
出願日: 2002年09月12日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】比較的低温で作成できる有機薄膜トランジスタ及び有機EL素子を共通の基板上に形成した有機EL表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成されかつ各々が有機EL素子及び有機EL素子に接続された有機薄膜トランジスタを含む複数の発光部とを含む有機EL表示装置において、有機EL素子は、対向する1対の電極と、1対の電極の間に積層された有機発光層を含む有機材料層と、を有する。有機薄膜トランジスタは、対向するソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように積層された有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極の間の有機半導体層に電界を印加せしめるゲート電極と、を有する。さらに、有機EL表示装置は、発光部内において、ソース電極及びドレイン電極間の短絡を防止するソースドレイン絶縁膜、有機半導体膜を保護する保護絶縁膜、及び有機EL素子の一方の電極の縁部を覆う画素絶縁膜を備え、ソースドレイン絶縁膜、保護絶縁膜及び画素絶縁膜の少なくとも2つが同一誘電体材料からなる。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成されかつ各々が有機EL素子及び前記有機EL素子に接続された有機薄膜トランジスタを含む複数の発光部と、を含む有機EL表示装置であって、
前記有機EL素子は、対向する1対の電極と、前記1対の電極の間に積層された有機発光層を含む有機材料層と、を有し、
前記有機薄膜トランジスタは、対向するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように積層された有機半導体膜と、前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記有機半導体膜に電界を印加せしめるゲート電極と、を有し、
さらに、前記発光部内において、前記ソース電極及びドレイン電極間の短絡を防止するソースドレイン絶縁膜、前記有機半導体膜を保護する保護絶縁膜、及び前記有機EL素子の一方の電極の縁部を覆う画素絶縁膜を備え、前記ソースドレイン絶縁膜、前記保護絶縁膜及び前記画素絶縁膜の少なくとも2つが同一誘電体材料からなることを特徴とする有機EL表示装置。
IPC (7件):
H05B33/22
, H01L21/312
, H01L21/316
, H01L21/318
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (8件):
H05B33/22 Z
, H01L21/312 B
, H01L21/316 B
, H01L21/318 C
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
Fターム (61件):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007GA00
, 5F058AA06
, 5F058AA10
, 5F058AC04
, 5F058AF01
, 5F058AF04
, 5F058AF06
, 5F058AH10
, 5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC11
, 5F058BF02
, 5F058BF12
, 5F058BF17
, 5F058BF46
, 5F058BF47
, 5F110AA17
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110NN73
引用特許:
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