パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-011835
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】触媒反応を利用したホトレジストを用いたリソグラフィ工程を高精度、かつ簡便に行う。【構成】被加工薄膜11上に、触媒反応を利用したホトレジスト材料21を塗布し、紫外線、電子線及びレーザー光線等の放射線により露光し、該ホトレジスト膜に回路パターンの潜象を形成し、触媒反応を進行させた後、該ホトレジスト膜の不要部分を現像により除去するパターン形成方法において、末露光部に拡散する触媒を除去若しくは触媒としての働きを消失させ得るホトレジスト膜を用いるパターン形成方法である。前記触媒が水素陽イオン32若しくは他の陽イオンである場合、未露光部に拡散する触媒を除去若しくはその働きを消失させる塩基性物質31を含むホトレジストを用いる。または、前記露光により塩基性を失う塩基性物質を含むホトレジストを用いる。

請求項（抜粋）：

被加工薄膜上に、触媒反応を利用したホトレジスト材料を塗布し、紫外線、電子線及びレーザー光線等の放射線により露光し、該ホトレジスト膜に回路パターンの潜象を形成し、触媒反応を進行させた後、該ホトレジスト膜の不要部分を現像により除去するパターン形成方法において、末露光部に拡散する触媒を除去若しくは触媒としての働きを消失させ得るホトレジスト膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 505 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-161436
特開平4-051243
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353015 出願人：株式会社東芝

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