特許

J-GLOBAL ID：200903054900943022

半導体装置の製造方法

発明者： 内田 滋宣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162166
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に段部の側面に酸化膜によるサイドウオールを形成する工程を有する半導体装置の製造の製法において、エッチング残りの突起物の発生を抑制し、かつシリコン基板に対して高選択比を保つことができるようにした。【解決手段】 シリコン(Si)下地の上に形成された段部の側面にサイドウオールを形成する工程を有する半導体装置の製法において、段部の側面を含んで全面的の酸化膜を形成する工程と、この酸化膜を2工程に分けて異方性ドライエッチングして、段部の側面に被着形成された酸化膜を局部的に残してサイドウオールを形成する工程を有し、異方性ドライエッチングの第1の工程においては、エッチングガスをハロゲン系ガス、またはハロゲン系ガスとCOとO2 の混合ガスを用い、第2の工程においては、ハロゲン系ガスとCOとの混合ガスを用いたエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)下地の上に形成された段部の側面にサイドウオールを形成する工程を有する半導体装置の製法において、上記段部の側面を含んで全面的の酸化膜を形成する工程と、上記酸化膜を第1および第2の2工程に分けて異方性ドライエッチングして、上記段部の側面に被着形成された上記酸化膜を一部の厚さに残してサイドウオールを形成する工程を有し、上記異方性ドライエッチングの上記第1の工程においては、エッチングガスとしてハロゲン系ガス、またはハロゲン系ガスとCOとO2 の混合ガスを用い、第2の工程においては、ハロゲン系ガスとCOとの混合ガスを用いたエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198736   出願人：ソニー株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-085575   出願人：東京エレクトロン株式会社