特許
J-GLOBAL ID：200903054922652757

半導体ウェハーの樹脂被覆方法及び金型

発明者：
前田 啓司

前田 啓司 について

, 
宮川 茂

宮川 茂 について


出願人/特許権者：
トーワ株式会社

トーワ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-254933
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：
【要約】【課題】 樹脂被覆用金型(上下両型1・2)を用いて半導体ウェーハ4のバンプ3の装着面を樹脂11で被覆して樹脂被覆ウェーハ12を形成する場合に、前記樹脂被覆ウェーハ12の生産性を向上させる。【解決手段】 まず、上型面にバンプ露出用フィルム7を張設して下型キャビティ5内の所定位置に前記半導体ウェーハ4をそのバンプ装着面を上面にして供給セットすると共に、前記バンプ装着面上に樹脂材料6を所要量供給し、更に、前記両型1・2を型締めして前記キャビティ5内に供給された樹脂材料を加熱溶融化し、次に、前記フィルム7を押圧部材8で押圧することによって、前記フィルム7を前記バンプ3先端部に当接し、且つ、前記キャビティ5内の樹脂を前記フィルム7を介して加圧することにより、前記キャビティ5内で前記半導体ウェーハ4のバンプ装着面を樹脂で被覆して樹脂被覆ウェーハ12を形成する。
請求項（抜粋）：
バンプを装着した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する樹脂被覆用金型の一方の型面に設けた樹脂被覆用金型キャビティの底面の所定位置に前記半導体ウェーハを、前記バンプ装着面を前記金型キャビティ底面とは反対側にした状態で、載置供給する半導体ウェーハの供給工程と、前記金型キャビティ内に樹脂材料を所要量供給する樹脂材料の供給工程と、前記金型の他方の型面にバンプ露出用フィルムを張設するフィルムの張設工程と、前記金型を型締めする金型の型締工程と、前記金型キャビティ内で前記樹脂材料を加熱溶融化する樹脂材料の加熱溶融化工程と、前記金型の他方の型面に設けた押圧部材で前記フィルムを前記金型キャビティ方向に押圧する押圧部材による押圧工程と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記金型キャビティ内で前記バンプ先端部に前記フィルムを当接するフィルムの当接工程と、前記押圧部材による押圧工程時に、前記フィルムを介して前記金型キャビティ内の樹脂を加圧することによって前記した半導体ウェーハのバンプ装着面を樹脂で被覆する半導体ウェーハの樹脂被覆成形工程とを備えたことを特徴とする半導体ウェハーの樹脂被覆方法。
IPC (7件)：
B29C 43/18 ,  B29C 43/34 ,  B29C 43/36 ,  B29C 43/52 ,  B29C 43/56 ,  H01L 21/56 ,  B29L 31:34
FI (6件)：
B29C 43/18 ,  B29C 43/34 ,  B29C 43/36 ,  B29C 43/52 ,  B29C 43/56 ,  H01L 21/56 T
Fターム (47件)：
4F202CA09 ,  4F202CB01 ,  4F202CB12 ,  4F202CB17 ,  4F202CB20 ,  4F202CK12 ,  4F202CK59 ,  4F202CK67 ,  4F202CL02 ,  4F202CL12 ,  4F202CN01 ,  4F202CP01 ,  4F202CP06 ,  4F202CQ01 ,  4F204AA36 ,  4F204AC01 ,  4F204AC04 ,  4F204AD03 ,  4F204AD05 ,  4F204AD08 ,  4F204AD21 ,  4F204AD24 ,  4F204AG02 ,  4F204AG03 ,  4F204AH37 ,  4F204AM32 ,  4F204AR12 ,  4F204FA01 ,  4F204FB01 ,  4F204FB12 ,  4F204FB17 ,  4F204FB20 ,  4F204FF01 ,  4F204FG01 ,  4F204FH18 ,  4F204FN08 ,  4F204FN12 ,  4F204FN15 ,  4F204FQ01 ,  4F204FQ15 ,  4F204FQ40 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F061DA16 ,  5F061EA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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