成膜方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237065
公開番号（公開出願番号）：特開2007-051327
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び/又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び/又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素材料からなる基板の表面に酸素及び/又は窒素を化学吸着させる工程と、前記基板の酸素及び/又は窒素が吸着された表面上に、有機金属化合物とこの有機金属化合物と反応して金属酸化物を生成する酸化剤とを交互に供給して、前記基板の表面上に金属酸化物からなる酸化膜を積層する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/02 , C30B 29/04 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4件)：

C23C16/02 , C30B29/04 V , H01L21/316 X , H01L21/318 B

Fターム (26件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077FJ06 , 4G077HA20 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA43 , 4K030CA01 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 5F058BA10 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (5件)

成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-008130 出願人：株式会社日立製作所
アルミナ膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-255723 出願人：富士通株式会社, 株式会社シー・ヴィ・リサーチ
窒化アルミニウム薄膜基板製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-135292 出願人：住友電気工業株式会社

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