特許
J-GLOBAL ID：200903054930338310
カーボンナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101183
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307241
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】カーボンナノチューブの膜を簡易に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、アーク電流が、荷電粒子の飛行方向を、基板7方向に曲げるような磁界を形成するので、カーボンナノチューブの荷電粒子は、真空槽11内で拡散されず、集束されて基板7に到達する。また、グラファイト材料からなるカソード電極31をアノード電極32で取り囲んだ状態で、アーク放電を起こし、グラファイト材料の粒子や、カーボンナノチューブを発生させると、アノード電極32で囲まれた空間の圧力が、その他の空間の圧力よりも高くなり、圧力差が生じるので、基板7をアノード電極32の開口である噴出口39と対向させておけば、圧力差によってカーボンナノチューブが噴出口39から基板7に向かって吹き付けられる。このように、本発明によれば、基板7に直接カーボンナノチューブの膜を形成することができ、その成膜速度も早い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空槽内に基板を搬入し、
前記真空槽内に真空雰囲気を形成した状態で、前記真空槽内に冷却ガスを供給し、
前記真空槽内に配置されたアノード電極とグラファイト材料との間にアーク放電を発生させ、
前記グラファイト材料の表面から前記グラファイト材料の粒子を放出させてカーボンナノチューブを形成し、
前記カーボンナノチューブの荷電粒子の飛行方向が前記基板方向に曲げられるような磁界を形成する方向にアーク電流を流し、
前記カーボンナノチューブの荷電粒子を前記基板に到達させるカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146AD24
, 4G146AD29
, 4G146AD30
, 4G146BA02
, 4G146BC17
, 4G146BC18
, 4G146BC27
, 4G146BC38A
, 4G146BC38B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
