特許
J-GLOBAL ID：200903054936158372
無機薄膜パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288614
公開番号（公開出願番号）：特開2007-100134
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高く絶縁基材の表面に形成することができ、また混成集積回路パターンに適用することも可能な無機薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】絶縁基材1の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層2を形成する(1)工程。この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層2の表面に析出させて無機薄膜3を形成する(2)工程。これらの工程を有して無機薄膜パターンを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層を形成する(1)工程と、この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層の表面に析出させて無機薄膜を形成する(2)工程とを、有することを特徴とする無機薄膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4K022AA05
, 4K022AA13
, 4K022AA31
, 4K022AA41
, 4K022BA01
, 4K022BA08
, 4K022BA10
, 4K022BA14
, 4K022BA15
, 4K022BA21
, 4K022BA31
, 4K022BA32
, 4K022BA33
, 4K022BA35
, 4K022DA09
