特許
J-GLOBAL ID：200903054937829866

半導体装置およびその製造方法

発明者：
大内 伸仁

大内 伸仁 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231894
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068401
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ状態で形成された複数の半導体素子を個片に分割する際に、容易にかつ確実に分割することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ウエハ10のチップ領域上に突起電極4を形成し、これらチップ領域の境界領域に溝6を形成し、溝6の形成されたウエハ10の表面を樹脂で覆った後に、ウエハ10の裏面を研磨し、この裏面から溝を露出させる。その後、溝の露出している境界領域でウエハを分割する。
請求項（抜粋）：
表面に複数の電極を有する半導体チップと、前記表面上に形成され、一端が前記電極と接続される配線と、前記配線の他端と接続された突起電極と、前記突起電極の表面を露出させて前記半導体チップの表面を封止する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301
FI (4件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Q
Fターム (6件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CB04 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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