特許
J-GLOBAL ID:200903054951832390

半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-042351
公開番号(公開出願番号):特開平9-321105
出願日: 1997年02月26日
公開日(公表日): 1997年12月12日
要約:
【要約】【課題】 スリップが入りやすいか、入りにくいかの指標を得ることができる、半導体ウエハの評価方法を提供すること。【解決手段】 所定温度で、半導体ウエハに対する面内の温度分布を変化させてゆき、スリップラインが発生する温度分布条件を検出することによって、スリップラインを発生させない許容熱応力範囲を特定する。
請求項(抜粋):
所定温度で、半導体ウエハに対する面内の温度分布を変化させてゆき、スリップラインが発生する温度分布条件を検出することによって、スリップラインを発生させない許容熱応力範囲を特定する、半導体ウエハの評価方法。
IPC (4件):
H01L 21/66 ,  C30B 33/02 ,  G01N 25/00 ,  H01L 21/324
FI (6件):
H01L 21/66 H ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L ,  C30B 33/02 ,  G01N 25/00 A ,  H01L 21/324 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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