特許
J-GLOBAL ID：200903054955528024
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235012
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097508
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 使用目的に適応した低ノイズで高特性の半導体レーザが簡単にえられる半導体レーザの構造を提供する。【構成】 活性層が上部および下部クラッド層で挟持されてなる半導体レーザにおいて、該上部もしくは下部クラッド層3、5、7、9の少なくとも一方の層中に、活性層4で発生する光を吸収する吸収層6および前記活性層の発光領域のみに電流を注入するための電流注入領域がストライプ状に形成された電流阻止層8が一定距離をおいて別々に設けられている。
請求項（抜粋）：
活性層が上部および下部クラッド層で挟持されてなる半導体レーザであって、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に、該活性層で発生する光を吸収する吸収層および前記活性層の発光領域のみに電流を注入するための電流注入領域が形成された電流阻止層が一定距離をおいて設けられてなる半導体レーザ。
引用特許：
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