半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198472
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016026
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】Cuダマシン配線のエロージョンを抑制すること。【解決手段】酸化剤として過硫酸カリウム、界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、研磨粒子としてシリカをそれぞれ含み、スラリーpHを水酸化カリウムにより8に制御したスラリーを用いたCMP法により、配線溝3の外部の不要なCu膜5を除去する。

請求項（抜粋）：

表面に溝を有する絶縁膜上に、前記溝を埋め込むように、金属を主成分とする導電膜を堆積する工程と、前記導電膜の表面に前記金属と錯体を形成する化合物と、界面活性剤と、研磨粒子とを含むスラリーを用いたCMP法により、前記溝の外の前記導電膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

Fターム (31件)：

5F033HH07 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033VV16 , 5F033VV17 , 5F033XX01 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043BB16 , 5F043BB18 , 5F043BB28 , 5F043DD16 , 5F043FF07 , 5F043GG02

引用特許：

審査官引用 (2件)

銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135038 出願人：株式会社東芝
化学機械研磨組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-305347 出願人：東京磁気印刷株式会社

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