特許
J-GLOBAL ID：200903054970587746

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
水原 秀樹

水原 秀樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120133
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316336
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】トランジスタの閾値電圧の制御性を高め、動作速度を向上させる。【構成】P型単結晶シリコン基板1にNウェル領域2、Pウェル領域3が形成され、その上にフィールド酸化膜4およびゲート酸化膜15が形成されている。Nウェル領域2にはゲート電極6とソース・ドレイン領域7とから構成されるPMOSトランジスタ5が形成されている。Pウェル領域3にはゲート電極9とソース・ドレイン領域10とから構成されるNMOSトランジスタ8が形成されている。各ゲート電極6,9は1本のWポリサイド配線11によって形成されている。Nウェル領域2上に配置されたWポリサイド配線11は、P型のドープドポリシコン膜12と、窒素が混入されたWシリサイド膜13とから構成されている。Pウェル領域3上に配置されたWポリサイド配線11は、N型のドープドポリシコン膜14と窒素が混入されたWシリサイド膜13とから構成されている。
請求項（抜粋）：
窒素が混入されたタングステンシリサイド膜とドープドポリシリコン膜とから成るポリサイド配線を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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