特許

J-GLOBAL ID：200903054994246966

化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174256
公開番号（公開出願番号）：特開2006-349864
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】液浸リソグラフィにおいて、化学増幅型レジスト膜の溶解性の低下を防止して、良好な形状を有する微細パターン形成できるようにする。 【解決手段】基板101の上に、ヘミアセタール又はヘミケタールを有するポリマーを含む化学増幅型レジストよりなるレジスト膜102を形成する。続いて、形成したレジスト膜102の上に液体104を配した状態で、レジスト膜102に露光光105を選択的に照射することによりパターン露光を行なう。その後、パターン露光されたレジスト膜102に対して現像を行なうことにより、レジスト膜102から良好なパターン形状を有するレジストパターン102aを得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

液浸リソグラフィに用いる化学増幅型レジスト材料であって、 ヘミアセタール又はヘミケタールを有する第1のポリマーを含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (2件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (16件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025DA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135624   出願人：ダイセル化学工業株式会社
• サブ200nm用フォトレジスト組成物のためのアクリル化合物並びにその作製及び使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-043199   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド