特許
J-GLOBAL ID：200903055030330689

化合物半導体装置

発明者：
澤田 憲

澤田 憲 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195475
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023928
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体装置に関し、電極材料を選択することによって、微細加工が可能で且つ応力の小さなノンアロイ電極を形成する。【解決手段】 化合物半導体層1上に設ける電極として、Wより蒸気圧の高い第1の耐熱性金属層2、非耐熱性金属層3、及び、Wより蒸気圧の高い第2の耐熱性金属層4を順次積層した積層構造からなる電極を用いる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層上に設ける電極として、Wより蒸気圧の高い第1の耐熱性金属層、非耐熱性金属層、及び、Wより蒸気圧の高い第2の耐熱性金属層を順次積層した積層構造からなる電極を用いたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/80 F
Fターム (30件)：
4M104AA05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT05 ,  5F102GT10 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC17 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭62-224083
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-231158   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平4-368135
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審査官引用 (6件)
  • 特開昭62-224083
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-231158   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平4-368135
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