半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-161353
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】電源電圧に依存せず、定電流発生に関係するトランジスタのしきい値電圧変動にも依存しない定電流発生回路を有する半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】電源電圧Vccと接地電位GNDとの間に、PチャネルMOSトランジスタQp1、NチャネルMOSトランジスタQn1、抵抗素子R1、NチャネルMOSトランジスタQn2の各素子が直列に接続されている。トランジスタQn2のゲート,ドレイン間は短絡され出力Vout はトランジスタQn6に抵抗R1に流れる電流Iref を発生させる。トランジスタQn1,2のしきい値電圧降下分を、NチャネルMOSトランジスタQn3,4のダイオード接続で、基準電圧Vref に上乗せしたレベルシフト回路2を設け、そこで得られた電位をトランジスタQn1のゲートに供給する構成である。

請求項（抜粋）：

第1の電位のノードにゲートが接続される第1のMOSトランジスタと、第2の電位のノードにゲートとドレインが接続されたダイオード接続の第2のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタのソースと前記第2のMOSトランジスタのドレインとの間に接続された抵抗素子で構成される定電流回路と、前記第1の電位が電源から負荷素子を介して与えられ、かつ前記第1の電位のノードにドレインとゲートが接続されたダイオード接続の第3のMOSトランジスタと、前記第3のMOSトランジスタのソースにドレインとゲートが接続されソースに基準電圧が与えられるダイオード接続の第4のMOSトランジスタとで構成されるレベルシフト回路を具備し、前記第3及び第4のMOSトランジスタは前記第1及び第2のMOSトランジスタと実質的にしきい値電圧の和が互いに等しいトランジスタで構成され、前記第1のMOSトランジスタのゲートに与えられる電圧に応じて前記抵抗素子に定電流を発生させることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

G05F 3/24 , G11C 16/06 , H03F 3/345 , H03K 19/0185

FI (4件)：

G05F 3/24 A , H03F 3/345 Z , G11C 17/00 631 , H03K 19/00 101 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特許第5627488号
演算増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-018154 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-128498 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社

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