特許
J-GLOBAL ID：200903055070998470
光半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
根本 恵司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347456
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174345
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 電極パターン形成時のアラインメントずれによりPN接合間がショートされるといったトラブルを起こさず、光取出効率の向上とボンディング工程の効率化を両立させる大きさの電極パッド面を持つ光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層上に電流拡散層5を設け、その上に保護膜6を設ける。電流拡散層5上に設けた保護膜6の一部を取除き、そこにp側電極8を素子の最外層として設け、表面をボンディングパッドとする。電極面全体をパッド面としているので、発光を遮光する面積は、パッド面によるもののみである。よって、パッド面として必要な面積を確保するために半導体層上を覆い形成される電極の面積を小さくでき、光取り出し効率を高める。電極は、保護膜6上に延在するため、青色LEDのように素子面上偏った配置をとる電極でも作成過程でPN接合間ショートが起きない。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子層上に保護膜及び電極を有する光半導体装置であって、前記電極が前記保護膜の一部を除去して設けられた窓部を介して前記半導体発光素子層に電気的に接続されていることを特徴とする光半導体装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA25
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041DA07
