特許
J-GLOBAL ID：200903029013954104
III族窒化物半導体発光素子製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322992
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162442
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 アクセプタ不純物の成長層内部の相互拡散を抑制しかつ発光ダイオード或いは半導体レーザとして必要なp型キャリア濃度を達成でき、純度の高い青緑色、青色又は紫外線を発光するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層からなる半導体発光素子の製造方法において、II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む少なくとも1つのpn接合又はpin接合を形成する接合形成工程と、結晶層上に電極を形成する工程と、pn接合を加熱し、加熱状態にある期間の少なくとも一部の期間において、電極を介して電界を印加する電界印加加熱工程とを含む。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む半導体発光素子の製造方法であって、II族元素を添加してIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む少なくとも1つのpn接合又はpin接合を形成する接合形成工程と、前記結晶層上に電極を形成する工程と、前記pn接合又はpin接合を所定温度範囲に加熱し、前記pn接合又はpin接合が前記所定温度範囲にある期間の少なくとも一部の期間において、前記電極を介して前記pn接合又はpin接合をよぎる電界を形成する電界形成加熱工程とを含むことを特徴とする製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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