半導体集積回路装置及びイニシャライズ回路内蔵RAM

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213671
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】全セルの一括初期化を高速に行うことができるイニシャライズ回路内蔵RAMを提供する。【解決手段】アレイ上に配列されたRAMセルに対してデータの書き込み/読み出しを行うRAMを有する半導体集積回路装置において、電源投入時または外部回路の指示によるリセットビットの書き込み時に、前記RAMに対して初期化信号を供給する初期化信号供給回路を設け、前記RAMは、前記初期化信号の入力時に全RAMセルを一括初期化するイニシャライズ回路を内蔵する構成にする。さらに、前記RAMは、前記初期化信号が入力される初期化モード時に、通常モードでの書き込み/読み出しに関する動作を停止する構成にする。

請求項（抜粋）：

アレイ上に配列されたRAMセルに対してデータの書き込み/読み出しを行うRAMを有する半導体集積回路装置において、前記RAMに対して初期化信号を供給する初期化信号供給回路と、前記初期化信号の入力時に全RAMセルを一括初期化するイニシャライズ回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 , H01L 27/10 461

FI (2件)：

G11C 11/34 W , H01L 27/10 461

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-008596 出願人：沖電気工業株式会社
特開平2-089291
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-287578 出願人：株式会社日立製作所

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