特許
J-GLOBAL ID：200903055115854369
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350995
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165093
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】プラズマ処理の面内均一性が高く、かつチャージアップダメージが生じ難い容量結合容量結合型のプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】真空雰囲気に保持されるチャンバー1と、チャンバー1内に互いに平行に配置された第1および第2の電極2,18と、第1および第2の電極2,18の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構10とを有する容量結合型のプラズマ処理装置100において、第1の電極2は、ウエハWを支持するとともに、高周波電力が印加されるカソード電極として機能し、第2の電極18は、接地されたアノード電極として機能し、第2の電極18の第1の電極2と対向する表面は導電体18cからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空雰囲気に保持されるチャンバーと、
前記チャンバー内に互いに平行に配置された第1および第2の電極と、
前記第1および第2の電極の間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を有する容量結合型のプラズマ処理装置であって、
前記第1の電極は、被処理基板を支持するとともに、高周波電力が印加されるカソード電極として機能し、
前記第2の電極は、接地されたアノード電極として機能し、
前記第2の電極の前記第1の電極と対向する表面は導電体からなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C23C 16/509
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, C23C16/509
, H01L21/205
, H05H1/46 M
4K030FA03
, 4K030KA18
, 4K030KA20
, 5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004BA08
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH13
, 5F045EH20
, 5F045EM05
, 5F045EM09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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