特許

J-GLOBAL ID：200903055130841079

真空浸炭方法

発明者： 前田 修一 ,  倉田 晴弘 ,  山口 和嘉 ,  松原 周
出願人/特許権者： 光洋サーモシステム株式会社
代理人 (1件)： 岸本 瑛之助 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262313
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 加熱室の有効空間内に大量の被処理品を配して浸炭を行った場合にも、全ての被処理品に浸炭むらが発生するのを防止することができる真空浸炭方法を提供する。【解決手段】 浸炭ガスとして、エチレンガスと水素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする真空浸炭方法である。混合ガス中の水素ガスの混合比率を15〜50%とする。40〜65Torrの圧力下で行う。

請求項（抜粋）：

浸炭ガスとして、エチレンガスと水素ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする真空浸炭方法。

IPC (4件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/06 ,  C21D 1/74 ,  C21D 1/773

FI (4件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/06 A ,  C21D 1/74 P ,  C21D 1/773 J

Fターム (4件)：

4K028AA01 ,  4K028AB01 ,  4K028AC03 ,  4K028AC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 真空浸炭方法および装置ならびに浸炭処理製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067937   出願人：株式会社日本ヘイズ
• 真空浸炭方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-149696   出願人：株式会社不二越