特許

J-GLOBAL ID：200903055145508511

プラズマ処理装置

発明者： 石原 博之 ,  荒木 陽一 ,  高橋 俊樹 ,  久保 卓也 ,  伊藤 淳 ,  小野 洋子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-227259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006574
出願日： 2002年08月05日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】処理領域内ガスの排気効率向上及びプラズマの漏れ抑制を確実に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マグネトロン方式平行平板プラズマ処理装置30は、処理室容器3を有し、処理室容器3は、その頂部に、ガス導入孔を多数備えた上部電極1と、その下部に、被処理体としての半導体ウエハWを載置する載置面を頂部に備えた下部電極2と、下部電極2の頂部の位置において、処理室容器3内を処理領域8と排気領域9とに隔離する隔離板50とを有する。隔離板50は処理領域8内の処理領域内ガスを排気領域9に排気すべく処理領域8と排気領域9を連通する複数のガス通路孔5aを有すると共に非導電性部材5bから成る。ガス通路孔5aに対向するガス通路側面20bには導電性部材5cが配設されている。導電性部材5cには、ガス通路側面20bが処理領域面20aよりも高い電位となるように電圧Vが電源21により印加される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

処理室容器と、前記処理室容器内を、処理ガスが供給され且つ被処理体が処理される処理領域及び前記処理領域内に存在するガスが排気される排気領域に隔離する隔離手段と、前記処理領域に供給された処理領域内ガスを電離して荷電粒子及び中性ガス粒子から成るプラズマを生成すべく前記処理領域内で放電を行う放電手段とを備えるプラズマ処理装置において、前記隔離手段は、前記隔離手段の近傍における前記プラズマ中の前記中性ガス粒子の平均的な運動方向と、前記プラズマ中の前記荷電粒子の平均的な運動方向とを分離するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (5件)：

H01L21/302 101B ,  B01J19/08 H ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M

Fターム (32件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075EB42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030HA06 ,  4K030KA12 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EG05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• プラズマチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164458   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-062033   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280859   出願人：ソニー株式会社
• 半導体ウエハの処理のための磁気閉じ込めプラズマリアクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-011330   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体基板用プラズマ表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-089284   出願人：ローム株式会社