特許
J-GLOBAL ID：200903055171038582
バリヤメタル層及びその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176723
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354470
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層を提供する。【解決手段】 シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層64と銅層68,70との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜66を用いる。これにより、銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層とする。
請求項（抜粋）：
シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてTiSiN膜を用いたこを特徴とするバリヤメタル層。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/285 301 T
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 F
, H01L 21/90 C
