特許
J-GLOBAL ID：200903055178037611
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131490
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335940
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 発光強度の大きい化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】 Nを添加したn型SiC基板11上にNとGaを添加したn型SiC層12、Alを添加したp型SiC層13が順次積層されている。n型SiC基板11・p型SiC層13は電流注入層、n型SiC層12は発光層であり、n型SiC層12のGaが形成する不純物凖位はp型SiC層13のAlが形成する不純物凖位よりも深い。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の電流注入層と、この第1の電流注入層に隣接し少なくとも2種類の不純物を含む発光層と、この発光層に隣接した第2導電型の第2の電流注入層とを備え、炭化ケイ素のIV族または窒素を含むIII -V 族からなる化合物半導体発光素子において、前記発光層のアクセプタ-およびドナ-準位間のエネルギ-差のうち最も狭いエネルギ-差が前記第1および第2の電流注入層のアクセプタ-およびドナ-準位間のエネルギ-差よりも狭くなるように構成したことを特徴とする化合物半導体発光素子。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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特開平4-167477
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特開平3-235377
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特開昭49-034786
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