特許

J-GLOBAL ID：200903055198340256

室温共有結合方法

発明者： トン、チン-イ
出願人/特許権者： ジプトロニクス・インコーポレイテッド
代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-532508
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515779
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

結合方法は、フッ素化された酸化物を有する結合層を用いることを含む。フッ素は、フッ素を含有する溶液、蒸気またはガスへの暴露または注入により結合層に導入され得る。結合層はまた、フッ素が形成の間に層に導入される方法を用いても形成され得る。結合層の表面は、所望の種、好ましくはNH2 種により終端される。これは、結合層をNH4 OH溶液に曝すことにより達成され得る。強い結合強度が室温で獲得される。その方法はまた、2つの結合層を互いに結合させること、および結合層間の界面の近傍にピークを有するフッ素分布を作り出すことも含む。結合層の一方は、それぞれの上に形成する2つの酸化物層を含み得る。フッ素濃度はまた、2つの酸化物層の間の界面に第2のピークも有し得る。

請求項（抜粋）：

第1の要素および第2の要素に、少なくとも一方がフッ素化された層を包含する第1の結合層および第2の結合層をそれぞれ形成し、 周囲環境中室温で前記第1の結合層と第2の結合層を接触させ、および 前記第1の層と第2の層の間に結合を室温で形成させること を包含する結合方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L21/02 B ,  H01L27/12 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板の貼り合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-264912   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326931   出願人：株式会社デンソー