特許
J-GLOBAL ID:200903055203992178

薄膜磁気書込みヘッド及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-286938
公開番号(公開出願番号):特開平7-225917
出願日: 1994年11月21日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【目的】 よく画定された1μm以下のトラック幅を有する磁気書込みヘッドを提供する。【構成】 書込みヘッドは、上部磁極及び下部磁極を含むヨークを有する。各磁極は磁極端領域に磁極端構造体並びに後部領域に後面部を持つ。下部磁極の磁極端構造体は下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT1bを有し、並びに上部磁極の磁極端構造体は上部磁極端素子PT2aと下部磁極端素子PT2bを有する。上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2bは下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT2aとの間に位置し、ギャップ層Gは上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2bとの間に位置する。上部磁極端素子PT1bと下部磁極端素子PT2b及びギャップ層Gのそれぞれは、前壁と後壁並びに第1の側壁と第2の側壁によって囲まれている。
請求項(抜粋):
実質的に平らなエア・ベアリング面(ABS)からゼロ・スロート・レベルに延びる磁極端領域と、前記ゼロ・スロート・レベルから後部ギャップに延び、且つ前記後部ギャップを含む後部領域とを有する薄膜磁気書込みヘッドであって、前記磁極端領域における磁極端構造体と、前記後部領域における後部層域とを各々が有する下部磁極P1及び上部磁極P2であって、前記下部磁極P1の磁極端構造体は、下部磁極端素子PT1aと上部磁極端素子PT1bとを有し、前記上部磁極P2の磁極端構造体は、上部磁極端素子PT2aと下部磁極端素子PT2bとを有し、更に、前記上部磁極端素子PT1bと前記下部磁極端素子PT2bとの間に挟まれたギャップ層Gを有し、前記上部磁極端素子PT1b、前記ギャップ層G及び前記下部磁極端素子PT2bは、前記ゼロ・スロート・レベルにおいて実質的に平らな後壁をそれぞれ有し、且つ前記後壁は、前記ゼロ・スロート・レベルにおいて前記ABSに対して実質的に平行な平面を集合的に形成する、薄膜磁気書込みヘッド。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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