特許

J-GLOBAL ID：200903055204465759

半導体ウェハ用ウェイト

発明者： 鈴木 敦 ,  大滝 浩通 ,  岸 幸男 ,  小倉 知之
出願人/特許権者： 株式会社日本セラテック ,  太平洋セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298311
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118910
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイスの製造において、腐食ガスのプラズマを用いる工程で使用される半導体製造装置に用いられる半導体ウェハ用ウェイトについて、プラズマに対する耐腐食性を向上させ、かつパーティクルの発生を抑制する部材を提供する。【解決手段】 半導体ウェハの周辺部を保持する保持部を有するセラミックス焼結体からなる半導体ウェハ用ウェイト1であって、前記保持部3はリング状の本体2から内側にピン状に突出して設けられ、その突出長が0.5〜6mmであり、さらにピンの付根の曲率半径が1mm以上であることを特徴とする半導体ウェハ用ウェイト。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの周辺部を保持する保持部を有するセラミックス焼結体からなる半導体ウェハ用ウェイトであって、前記保持部はリング状の本体から内側にピン状に突出して設けられ、その突出長が0.5〜6mmであり、さらにピンの付根の曲率半径が1mm以上であることを特徴とする半導体ウェハ用ウェイト。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (19件)：

5F004AA16 ,  5F004BB21 ,  5F004BB29 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031EA01 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045BB14 ,  5F045EB03 ,  5F045EB05 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ウエハ押え用ウエイト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-206605   出願人：ソニー株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222975   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-065131
  
• 特開平2-065131