特許
J-GLOBAL ID：200903055207913884
半導体素子及び半導体装置並びに半導体実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291804
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】耐熱性がよく、高温での弾性率の変化が少なく、クラックや剥離が発生しにくい熱硬化性樹脂材料を用いた半導体素子及びその半導体装置並びに半導体実装構造を提供する。【解決手段】半導体チップの少なくとも一部を熱硬化性樹脂材料にて被覆又は/及び封止した半導体素子において、前記熱硬化性樹脂材料は、重付加型熱硬化性樹脂と、特定の有機ケイ素化合物と、前記重付加型熱硬化性樹脂の硬化剤とを含む熱硬化性樹脂材料よりなり、 該熱硬化性樹脂材料は前記半導体チップの動作時の接合点の最大温度が150°Cを超えることを特徴とする半導体素子及びそれを用いた半導体装置並びに半導体実装構造。
請求項（抜粋）：
半導体チップの少なくとも一部を熱硬化性樹脂材料にて被覆又は/及び封止した半導体素子において、前記熱硬化性樹脂材料は、重付加型熱硬化性樹脂と、下記一般式(1)又は(2)の【化1】【化2】の有機ケイ素化合物(ただし、Rは前記重付加型熱硬化性樹脂の硬化剤と付加反応を起こす官能基を含む有機基であり、かつ、R',R'',R''',R'''',R'''''およびR''''''はSiRO3/2を繰り返しの単位として0個から3個有する含ケイ素基である)と、前記重付加型熱硬化性樹脂の硬化剤とを含む熱硬化性樹脂材料よりなり、該熱硬化性樹脂材料は前記半導体チップの動作時の接合点の最大温度が150°Cを超えることを特徴とする半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/32
, C08G 77/04
, C08L 83/04
, C08L101/00
C08G 59/32
, C08G 77/04
, C08L 83/04
, C08L101/00
, H01L 23/30 R
4J002AA02X
, 4J002BC12X
, 4J002BH02X
, 4J002CC03X
, 4J002CC16X
, 4J002CC18X
, 4J002CD00X
, 4J002CK02X
, 4J002CP05W
, 4J002CP09W
, 4J002EN006
, 4J002FD146
, 4J035BA11
, 4J035CA112
, 4J035CA192
, 4J035CA212
, 4J035CA262
, 4J035EA01
, 4J035EB02
, 4J035LB02
, 4J035LB03
, 4J036AA01
, 4J036AB07
, 4J036AB20
, 4J036AD08
, 4J036AF06
, 4J036AH04
, 4J036AJ21
, 4J036DC02
, 4J036FB09
, 4J036FB10
, 4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EA03
, 4M109EA08
, 4M109EA11
, 4M109EB02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EC04
, 4M109EC05
, 4M109GA10
