半導体装置及びその検査方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092252
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277338
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】ダイシング直後のみならず、チップ分割後や製品搭載後においても、ダイシングによって発生又はその後の処理で進行する欠けやクラックを検出して不良チップを選別することができる半導体装置及びその検査方法の提供。【解決手段】スクライブ領域3で囲まれるチップ領域2外周の少なくとも一部に(好ましくは略全周に)、半導体チップ1の任意の配線層、導電材又は拡散層を用いて検査用配線4を形成し、検査用配線4の両端を配線層やコンタクトプラグを介して半導体チップ1のパッド2aに直接又は所定の切り替え手段を介して接続する。これにより、各々の半導体チップ1に対してダイシングに起因して発生、又はその後の実装、組み立て工程、製品搭載後の応力や衝撃、熱サイクルなどによって進行する半導体チップの欠けやクラックなどのチッピングを検出し、不良チップを確実に選別することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

略直交する方向に延在する複数のスクライブ領域と、前記スクライブ領域で囲まれるチップ領域とで構成される半導体ウェハにおいて、各々の前記チップ領域外周の前記スクライブ領域近傍の少なくとも一部に検査用配線が形成され、前記検査用配線の両端が前記チップ領域に設けられるパッドに接続されていることを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L21/66 , G01R31/28 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (4件)：

H01L21/66 E , H01L27/04 T , H01L27/04 E , G01R31/28 U

Fターム (16件)：

2G132AA00 , 2G132AK00 , 2G132AL00 , 2G132AL09 , 2G132AL11 , 4M106AA01 , 4M106AD01 , 4M106AD06 , 4M106AD10 , 5F038CA10 , 5F038CD05 , 5F038DT04 , 5F038DT10 , 5F038DT12 , 5F038EZ19 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (3件)

チッピング測定装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-139057 出願人：株式会社ディスコ
特開平3-222446号公報(第2-3頁、第3図)
特開平3-222447号公報(第2-3頁、第3図)

審査官引用 (4件)

特開平4-199651
半導体集積回路素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-031047 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-228345

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