特許
J-GLOBAL ID：200903055216335133

面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
渡部 義昭

渡部 義昭 について

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成井 啓修

成井 啓修 について

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黒水 勇一

黒水 勇一 について

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山内 義則

山内 義則 について

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田中 嘉幸

田中 嘉幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-140181
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342970
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】単峰性横モードの安定したレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本面発光型半導体レーザ素子10は、n型GaAs基板12上に、順次、形成された、下部DBR14、下部クラッド層16、発光層18、上部クラッド層20、上部DBR22、及びコンタクト層24の積層構造を備え、上部は電流狭窄層28を有するメサポスト26として形成されている。コンタクト層は、第1の開口部30を開口し、SiO2 膜32は、第1の開口部より大きな第3の開口部34を有して、コンタクト層を環状に露出させている。p側電極36が第1の開口部の内周部の上部DBR上からコンタクト層上に、次いでSiO2 膜上に延在している。p側電極は、上部DBR上で第2の開口部38を形成し、第2の開口部から上部DBRを露出させている。コンタクト層、絶縁膜、p側電極の階段状の構成により、第2の開口部の中心、つまり発光面の中心から外方に変化する複屈折率分布が形成され、横モードがシングルモード化される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、順次、半導体多層膜からなる下部反射鏡、活性層、及び半導体多層膜からなる上部反射鏡を備え、上部反射鏡又は下部反射鏡の活性層近傍の領域に電流狭窄層を有するメサポストとして形成されている面発光型半導体レーザ素子において、 上部反射鏡を露出させる第1の開口部を備えて上部反射鏡上に延在する化合物半導体層と、 第1の開口部の内側に上部反射鏡を露出させる第2の開口部を備えて環状に化合物半導体層上に延在する金属膜と を備え、金属膜と化合物半導体層とが、第2の開口部の中心から外方向に複素屈折率が変化する複素屈折率分布構造を構成していることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (9件)：
5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27 ,  5F073EA18 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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