特許
J-GLOBAL ID：200903055221781737
半導体装置作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235492
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにとって好ましい特性を示す結晶性珪素膜を得る。【構成】 ガラス基板上に窒化珪素膜102と非晶質珪素膜103を実質的に密着して形成し、これにニッケル等の触媒元素を添加して、500〜600°Cでアニール処理を行ない、結晶化させる。さらにこれにレーザー光を照射することによって、結晶性を高めた結晶性珪素膜を得る。このようにして得られた結晶性珪素膜を用いることで、高い特性を有するTFT等の半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
窒化珪素膜と非晶質珪素膜とを実質的に密着させて形成する第1の工程と、前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を該非晶質珪素膜に加熱することによって混入せしめ、前記非晶質珪素膜の一部もしくは全部を結晶化させる第2の工程と、レーザー光または強光を照射することにより結晶性を助長する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
