特許

J-GLOBAL ID：200903055222817093

磁気記憶装置の製造方法

発明者： 成沢 浩亮 ,  遠藤 敬太郎 ,  窪 真也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031772
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 特殊なパターン形成技術を必要とせず、トンネル磁気抵抗効果素子(TMR素子)の加工精度と自己整合的な接続部の形成とを両立させる。【解決手段】 所定の素子形状に形成されたマスク層(めっき層20)を用いて、磁化固定層12と記憶層14との間にトンネルバリア層13を挟んでなる磁気抵抗効果膜15を所定の素子形状に加工する工程を備えた磁気記憶装置の製造方法において、マスク層はめっき法により形成する磁気記憶装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

所定の素子形状に形成されたマスク層を用いて、磁化固定層と記憶層との間にトンネルバリア層を挟んでなる磁気抵抗効果膜を所定の素子形状に加工する工程を備えた磁気記憶装置の製造方法において、前記マスク層はめっき法により形成することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エッチングマスク、その作製方法およびエッチング方法、並びに磁気ヘッドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-323885   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265664   出願人：株式会社東芝