特許
J-GLOBAL ID：200903018325890977
エッチングマスク、その作製方法およびエッチング方法、並びに磁気ヘッドおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
星宮 勝美 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-293480
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ドライエッチングによる異方性エッチングを精度良く行うことができ、被加工物に対して断面が矩形状のパターンを形成することができるエッチングマスクおよびその作製方法を提供する。【解決手段】 エッチングマスク11は、パーマロイ(NiFe)等の金属材料により形成され、かつ、その断面が幅W1 の縦バー部11aと幅W2 の横バー部11bとからなるT字形状に形成されている。エッチングマスク11を用いてイオンビームエッチングを行うと、照射されたイオンビーム12により被加工物10の表面のエッチングマスク11によって覆われていない領域が選択的に削り取られる。エッチングマスク11では、縦バー部11aに対して横バー部11bによる影の領域が形成されると共に、飛散した金属材料の再付着部13が形成されることにより、実質的にパターン幅を決定する縦バー部11aの被加工物10との界面の近傍領域の幅は変化することがない。
請求項（抜粋）：
被加工物を選択的にエッチングする際に用いられるマスクであって、金属材料により形成されると共に、被加工物のパターン幅を決定する矩形状の第1の領域と、エッチング時において前記第1の領域の側壁面へのエッチングビームの照射を遮断する領域となる第2の領域とを含む断面形状を有することを特徴とするエッチングマスク。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, G11B 5/31
, H01L 21/3065
C23F 4/00 A
, G11B 5/31 M
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 D
, G11B 5/31 K
, H01L 21/302 J
