半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376140
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207567
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】薄い構造のIGBTの製造において、低コストで処理過程中でのウェハ割れが抑制された方法を提供する。【解決手段】基板10にSIMOX構造を形成する工程と、バッファ層12を形成する工程と、高抵抗層13を形成する工程と、MOSゲート構造を形成する工程と、基板裏面の少なくとも一部を除去する工程とを具備する。その結果、すべてのイオン注入作業は厚いウェハの状態で行うことができる。また、他の支持基板を必要としない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板の第1の面から第1の深さの位置に絶縁膜を形成する工程と、前記第1の面上に第2導電型のバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第2導電型の高抵抗層を形成する工程と、前記高抵抗層の表面領域にベース領域、ソース領域、及びゲート電極を含むMOSゲート構造を形成する工程と、前記基板の前記第1の面と反対の第2の面の少なくとも一部を前記絶縁膜が露出するまで除去する工程と、前記第2の面を除去して露出させた前記絶縁膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/336 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 658E , H01L29/78 655Z , H01L29/78 658G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-267070 出願人：新電元工業株式会社
絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-056958 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-054945 出願人：株式会社東芝

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