特許
J-GLOBAL ID：200903055265673486

読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-206342
公開番号（公開出願番号）：特開2006-065305
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 本発明は、発光素子の端部を囲む隔壁層として、遮光性を有する材料を用いる。これにより、読み取り対象物に反射していない光が撮像素子に入ることを防止して、読み取り対象物の情報を正確に読み取ることができる。【解決手段】 本発明の読み取り機能付き表示装置は、絶縁表面を有する基板上に設けられた薄膜トランジスタ及び撮像素子と、薄膜トランジスタ及び撮像素子を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられた発光素子と、発光素子の端部を囲み、遮光性を有する隔壁層とを有し、隔壁層は、撮像素子と重なる位置に、開口部を有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、複数の画素が設けられ、 前記複数の画素の各々は、第1の薄膜トランジスタと発光素子を含む第1の副画素と、第2の薄膜トランジスタと撮像素子を含む第2の副画素を有し、 前記第1の薄膜トランジスタ、前記第2の薄膜トランジスタ及び前記撮像素子を覆うように、絶縁層が設けられ、 前記絶縁層上に、前記発光素子と遮光性を有する層が設けられ、 前記遮光性を有する層は、前記撮像素子と重なる位置に、開口部が設けられていることを特徴とする読み取り機能付き表示装置。
IPC (5件)：
G09G 3/20 ,  G09F 9/30 ,  G09G 3/30 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/14
FI (10件)：
G09G3/20 691E ,  G09F9/30 349Z ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 642K ,  G09G3/20 670E ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 642L ,  G09G3/30 J ,  H05B33/14 A ,  H01L27/14 K
Fターム (71件)：
3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CA19 ,  4M118CA20 ,  4M118CB07 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA05 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FC04 ,  4M118FC05 ,  4M118GA08 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB05 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB18 ,  5C051DB28 ,  5C051DC05 ,  5C051DC07 ,  5C051EA01 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD05 ,  5C080DD07 ,  5C080DD09 ,  5C080DD18 ,  5C080DD21 ,  5C080DD23 ,  5C080DD25 ,  5C080DD29 ,  5C080EE30 ,  5C080FF11 ,  5C080GG06 ,  5C080GG08 ,  5C080HH09 ,  5C080JJ01 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ06 ,  5C080JJ07 ,  5C080KK02 ,  5C080KK04 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C094AA51 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA20 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-239053   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-099287   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平1-105989
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審査官引用 (11件)
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