エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239053
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176162
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。【解決手段】本発明のエリアセンサは、発光素子を用いてセンサ部に画像を表示する機能と、光電変換素子を用いた読み取り機能を有する。そのため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設けなくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示させることが可能である。また、本発明のフォトダイオードの光電変換層は、非晶質珪素膜で形成されており、N型半導体層及びP型半導体層は多結晶珪素膜で形成されている。このとき、非晶質珪素膜は、多結晶珪素膜よりも厚く形成され、その結果、本発明のフォトダイオードは、より多くの光を受け取ることが出来る。

請求項（抜粋）：

フォトダイオードと、EL素子と、複数の薄膜トランジスタとを有する画素を複数設けてセンサ部を形成したエリアセンサであって、前記フォトダイオードは、P型半導体層と、N型半導体層と、前記P型半導体層及び前記N型半導体層の一部に接するように設けられた光電変換層とを有し、前記光電変換層は、前記P型半導体層及び前記N型半導体層よりも厚いことを特徴とするエリアセンサ。

IPC (12件)：

H01L 27/146 , G06T 1/00 420 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 27/15 , H01L 31/10 , H04N 1/028 , H04N 5/335 , H05B 33/04 , H05B 33/10 , H05B 33/12 , H05B 33/14

FI (12件)：

G06T 1/00 420 G , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 27/15 D , H04N 1/028 Z , H04N 5/335 U , H05B 33/04 , H05B 33/10 , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , H01L 27/14 C , H01L 31/10 A

Fターム (51件)：

4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118FB03 , 4M118FB08 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118FC02 , 4M118FC15 , 4M118GA02 , 4M118GB11 , 5B047AB04 , 5B047BB04 , 5B047BC01 , 5B047BC11 , 5B047CA04 , 5B047CA19 , 5C024AX01 , 5C024BX00 , 5C024CY47 , 5C024DX01 , 5C024GX03 , 5C024GX16 , 5C051AA01 , 5C051BA02 , 5C051DA06 , 5C051DB01 , 5C051DB04 , 5C051DB06 , 5C051DB08 , 5C051DB18 , 5C051DB28 , 5C051DB31 , 5C051DC02 , 5C051DC03 , 5C051DC05 , 5C051DC07 , 5C051DE02 , 5C051DE29 , 5C051EA01 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049MB05 , 5F049NB03 , 5F049RA08 , 5F049UA14 , 5F049UA16

引用特許：

審査官引用 (8件)

TFT駆動薄膜EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-226348 出願人：富士ゼロツクス株式会社
特開昭64-002376
光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-286457 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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