特許

J-GLOBAL ID：200903055268331195

洗浄方法

発明者： 川田 和彦 ,  中森 光則 ,  大見 忠弘 ,  新田 雄久
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129638
公開番号（公開出願番号）：特開平11-057636
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、加熱を行うことなく室温で処理が可能であり、薬品・水の使用量が少なくてすみ、特有の装置、材料を用いる必要がない洗浄方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の洗浄方法は、オゾンを含有する純水による洗浄を行う第1工程、500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、H2Oと界面活性剤とを含有する洗浄液による洗浄を行う第2工程、オゾンを含有する純水による洗浄を行う第3工程、酸化膜を除去するためのHFとH2Oを含有する洗浄液による洗浄を行う第4工程、純水による洗浄を行う第5工程、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

オゾンを含有する純水による洗浄を行う第1工程、500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、H2Oと界面活性剤とを含有する洗浄液による洗浄を行う第2工程、オゾンを含有する純水による洗浄を行う第3工程、酸化膜を除去するためのHFとH2Oを含有する洗浄液による洗浄を行う第4工程、純水による洗浄を行う第5工程、からなることを特徴とする洗浄方法。

IPC (4件)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 648

FI (4件)：

B08B 3/08 A ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 648 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造システム及びクリーンルーム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-220793   出願人：大見忠弘
• シリコン単結晶ウエーハの洗浄方法および洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-018024   出願人：大見忠弘, 株式会社プレテック, 信越半導体株式会社
• 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-164967   出願人：株式会社東芝