特許
J-GLOBAL ID:200903055306694426
二次元画像検出器およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-329191
公開番号(公開出願番号):特開2000-156487
出願日: 1998年11月19日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板と対向基板とを信頼性よく接続することができる二次元画像検出器およびその製造方法の提供。【解決手段】 画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを備え、該アクティブマトリクス基板の画素配列層と、該対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電性材料によって電気的に接続されてなり、アクティブマトリクス基板と対向基板との少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対応した突起が形成されているとともに、該接続面周辺部には該両基板間を外部から遮断する封止手段が形成されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電性材料によって接着かつ電気的に接続されており、前記アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方側の接続面には各画素電極に対応した突起が形成されているとともに、該接続面周辺部には該両基板間を外部から遮断する封止手段が形成されていることを特徴とする二次元画像検出器。
IPC (3件):
H01L 27/146
, G01J 1/02
, G01T 1/24
FI (3件):
H01L 27/14 F
, G01J 1/02 Q
, G01T 1/24
Fターム (29件):
2G065AB01
, 2G065AB02
, 2G065AB04
, 2G065BA02
, 2G065BA09
, 2G065BA34
, 2G065CA12
, 2G065DA20
, 2G088FF02
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ10
, 2G088JJ31
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 4M118AA08
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA05
, 4M118CA06
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118GA10
, 4M118HA24
, 4M118HA31
引用特許:
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