縦形パワーMOSFET

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-506154
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501042
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】本発明は、イオン領域(1)内に配設された付加的柱状領域(11,12)を有する縦形パワーMOSFETに関する。これらの付加的領域はイオン領域(1)と同じ伝導形と異なる伝導形を有している。電荷キャリヤの寿命は、イオン領域(1)と同じ伝導形の付加的領域(12)においては低減され、イオン領域(1)は次のように選定されている。すなわち空間電荷層領域が、イオン領域とドレイン領域の間の接合部に達しないように選定されている。

請求項（抜粋）：

第1の伝導形で所定のドーピング濃度のイオン領域(1)を有し、前記イオン領域(1)と半導体第1表面に接している第2の伝導形の少なくとも1つのベース領域(3)を有し、該ベース領域(3)内にはそれぞれ少なくとも1つのソース領域(4)が埋め込まれており、半導体表面の一方に接するドレイン領域(7)を有し、前記イオン領域(1)内で実質的に遮断電圧のもとで拡張する空間電荷領域内部に配設された第2の伝導形の付加的領域(11)を有し、前記第2の伝導形の付加的領域(11)間に存在し前記イオン領域(1)よりも高めにドーピングされる少なくとも1つの第1の伝導形の付加的領域(12)を有し、前記付加的領域(11,12)のドーピングレベルと、前記第2の伝導形の付加的領域の間隔は相互に、それらの電荷キャリヤが逆電圧の印加のもとで十分除去されるように選定されている、半導体を備えた縦形パワーMOSFETにおいて、電荷キャリヤの寿命が少なくとも前記第1の伝導形の付加的領域(12)において低減されており、前記付加的領域(11,12)の厚さ寸法は、逆電圧のもとで拡張される空間電荷領域(15)が半導体第1表面から離れた側の、前記第1の伝導形の付加的領域(12)とイオン領域(1)との間の接合部を実際に越えないように選定されていることを特徴とする、縦形パワーMOSFET。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 658 H , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 654 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭58-039065
特開平2-047874

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