特許

J-GLOBAL ID：200903055387993066

洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法

発明者： 中島史博
出願人/特許権者： 三洋化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-055357
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212383
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。HSQ、MSQ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはHSQ、MSQのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び/又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び/又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分(A)、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分(B)、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分(C)及び水を含有し、(A)、(B)及び(C)が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び/又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び/又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分(A)、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分(B)、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分(C)及び水を含有し、(A)、(B)及び(C)が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 残渣除去成分(A):フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、水溶性アミン及び4級アンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物 腐食防止成分(B):水酸基含有芳香族化合物、脂肪族メルカプタン及び窒素環式不飽和化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種である化合物 保護成分(C):ポリオキシエチレン鎖を含む化合物、ポリカルボン酸及び多価アルコールからなる群から選ばれる少なくとも1種である化合物

IPC (12件)：

H01L 21/304 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/26 ,  C11D 3/30 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/28 ,  C11D 1/72 ,  C11D 1/74 ,  C11D 1/68 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/027

FI (13件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647A ,  C11D3/04 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D3/28 ,  C11D1/72 ,  C11D1/74 ,  C11D1/68 ,  H01L21/90 A ,  H01L21/30 572B

Fターム (64件)：

4H003AC03 ,  4H003AC08 ,  4H003AC12 ,  4H003AC13 ,  4H003DA15 ,  4H003EA05 ,  4H003EB08 ,  4H003EB13 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003FA15 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033SS11 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F046MA02 ,  5F157AA28 ,  5F157AA32 ,  5F157AA64 ,  5F157AA65 ,  5F157AA93 ,  5F157AA94 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BA02 ,  5F157BB01 ,  5F157BB08 ,  5F157BB22 ,  5F157BB37 ,  5F157BB73 ,  5F157BB79 ,  5F157BC54 ,  5F157BD02 ,  5F157BD04 ,  5F157BD09 ,  5F157BE12 ,  5F157BE34 ,  5F157BE42 ,  5F157BE43 ,  5F157BE44 ,  5F157BE45 ,  5F157BF22 ,  5F157BF34 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CB03 ,  5F157CB15 ,  5F157CE36 ,  5F157CF06 ,  5F157CF64 ,  5F157DA21 ,  5F157DB57

引用特許：

出願人引用 (2件)

• フォトレジスト残渣除去液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-370122   出願人：関東化学株式会社
• フォトレジスト残渣除去液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-081002   出願人：関東化学株式会社, NECエレクトロニクス株式会社