フォトレジスト残渣除去液組成物

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：葛和清司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081002
公開番号（公開出願番号）：特開2003-280219
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【解決すべき課題】半導体回路素子の製造工程においてドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去性に優れ、かつ新しい配線材料やバリアメタル層、層間絶縁膜等に対してもダメージを与えないフォトレジスト残渣除去液組成物を提供する。【解決手段】フッ素化合物を1種又は2種以上と、グリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、フルクトース、ラクトース及びマンノースからなる群から選択される1種又は2種以上とを含有する(ただし、フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水及びアスコルビン酸からなるものを除く)、フォトレジスト残渣除去液組成物。

請求項（抜粋）：

フッ素化合物を1種又は2種以上と、グリオキシル酸、アスコルビン酸、グルコース、フルクトース、ラクトース及びマンノースからなる群から選択される1種又は2種以上とを含有する(ただし、フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水及びアスコルビン酸からなるものを除く)、フォトレジスト残渣除去液組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/304 647 , H01L 21/3065

FI (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 647 A , H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 105 A

Fターム (11件)：

2H096AA25 , 2H096LA03 , 2H096LA06 , 5F004BD01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB24 , 5F004EB03 , 5F004FA07 , 5F046LA17 , 5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (12件)

金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-268033 出願人：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド
フォトレジストアッシング残滓洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-233179 出願人：株式会社トクヤマ
レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-173454 出願人：ナガセ電子化学株式会社

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