特許

J-GLOBAL ID：200903070106631330

フォトレジスト残渣除去液組成物

発明者： 石川 典夫 ,  大和田 拓央
出願人/特許権者： 関東化学株式会社
代理人 (1件)： 葛和 清司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370122
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167360
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【解決すべき課題】 半導体回路素子の製造工程において、ドライエッチング後に残留するフォトレジスト残渣の除去性に優れ、かつ配線材料や層間絶縁膜等をアタックしないフォトレジスト残渣除去液組成物を提供する。【解決手段】 脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からなる群から選択される1種又は2種以上と還元性化合物及びその塩からなる群から選択される1種又は2種以上とを含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液組成物。

請求項（抜粋）：

脂肪族ポリカルボン酸及びその塩からなる群から選択される1種又は2種以上と還元性化合物及びその塩からなる群から選択される1種又は2種以上とを含有することを特徴とするフォトレジスト残渣除去液組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 N

Fターム (20件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB41 ,  4H003FA15 ,  5F004AA09 ,  5F004EB02 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジスト用剥離液とその利用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-360497   出願人：日本ゼオン株式会社
• 洗浄剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-396491   出願人：花王株式会社
• サイドウォール除去液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-252481   出願人：昭和電工株式会社