特許
J-GLOBAL ID：200903055410312063

AlN結晶基板の製造方法、AlN結晶の成長方法およびAlN結晶基板

発明者：
水原 奈保

水原 奈保 について

, 
川瀬 智博

川瀬 智博 について

, 
宮永 倫正

宮永 倫正 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-184453
公開番号（公開出願番号）：特開2008-013390
出願日： 2006年07月04日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】大型で高品質なAlN結晶基板を製造することができるAlN結晶基板の製造方法、大型で高品質なAlN結晶を成長させることができるAlN結晶の成長方法およびその成長方法により成長したAlN結晶からなるAlN結晶基板を提供する。【解決手段】異種基板1上に異種基板1の口径rに対して0.4r以上の厚さにAlN結晶2を昇華法により成長させる工程と、異種基板1から200μm以上離れたAlN結晶2の領域からAlN結晶基板3を形成する工程と、を含む、AlN結晶基板3の製造方法である。また、その製造方法により製造されたAlN結晶基板3上にAlN結晶2を昇華法により成長させるAlN結晶2の成長方法とその成長方法より成長したAlN結晶2からなるAlN結晶基板3である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
異種基板上に前記異種基板の口径rに対して0.4r以上の厚さにAlN結晶を昇華法により成長させる工程と、前記異種基板から200μm以上離れた前記AlN結晶の領域からAlN結晶基板を形成する工程と、を含む、AlN結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
C30B29/38 C ,  H01L21/203 Z ,  H01L33/00 A ,  H01L21/20
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077FG13 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA67 ,  5F103AA01 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103RR03 ,  5F152LL07 ,  5F152LM08 ,  5F152LN02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN14 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NQ05
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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