特許
J-GLOBAL ID：200903055477614234

金属膜堆積方法および超臨界乾燥/クリーニングモジュールを含む金属堆積クラスタツール

発明者：
ビバーガー,マキシミリアン エー.

ビバーガー,マキシミリアン エー. について

, 
シリング,ポール イー.

シリング,ポール イー. について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-579358
公開番号（公開出願番号）：特表2003-534646
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月18日
要約：
【要約】金属膜を基材上に堆積させる方法は、超臨界プレクリーンステップ、超臨界脱着ステップ、および金属堆積ステップを含む。好ましくは、プレクリーンステップは、基材の金属表面から酸化物層を除去するために超臨界二酸化炭素およびキレート化剤を基材と接触して維持することを含む。より好ましくは、プレクリーンステップは、基材と接触して超臨界二酸化炭素、キレート化剤および酸を維持することを含む。あるいは、プレクリーンステップは、酸化物層と接触させて、超臨界二酸化炭素およびアミンを維持することを含む。脱着ステップは、吸着材料を除去するために超臨界二酸化炭素を基材と接触して維持することを含む。金属堆積ステップは、次いで、プレクリーンされた基材の金属表面を酸化する材料に基材を晒すことなく、且つ基材に吸着される不揮発性の材料に基材を晒すことなく、金属膜を基材上に堆積させる。金属膜を基材上に堆積させるための装置は、移送モジュール、超臨界プロセシング・モジュール、真空モジュール、および金属堆積モジュールを含む。超臨界プロセシング・モジュールは、移送モジュールに連結される。真空モジュールは、金属堆積モジュールを移送モジュールに連結させる。操作において、金属膜を堆積させるための装置は、超臨界プレクリーンステップ、超臨界脱着ステップおよび金属堆積ステップを行う。
請求項（抜粋）：
以下のステップを含む、基材上に金属膜を堆積させる方法: a)超臨界二酸化炭素およびキレート化剤を基材と接触して維持(maintaining)して、基材の金属表面から酸化物層を除去し、それによりプレクリーンされた基材を形成すること;および b)プレクリーンされた基材の金属表面を酸化する材料に、プレクリーンされた基材を晒すことなく、プレクリーンされた基材上に金属膜を堆積させること。
IPC (5件)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 641
FI (5件)：
H01L 21/308 G ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/30 572 B
Fターム (12件)：
4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F043AA30 ,  5F043BB27 ,  5F043EE40 ,  5F043FF06 ,  5F043GG02 ,  5F046MA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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