特許

J-GLOBAL ID：200903055481498451

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 星場 俊之 ,  幸田 滋嗣
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301907
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110704
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 ダイボンド部材の劣化を防止し、長時間の使用環境下での発光効率の低下の少ない半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基体上にダイボンド部材によって半導体発光素子が固定された半導体発光装置であって、前記ダイボンド部材は、二重結合を含まない脂環式エポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂組成物であり、該エポキシ樹脂組成物は熱カチオン重合により硬化されていることを特徴とする半導体発光装置。

請求項（抜粋）：

基体上にダイボンド部材によって半導体発光素子が固定された半導体発光装置であって、前記ダイボンド部材は、二重結合を含まない脂環式エポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂組成物であり、該エポキシ樹脂組成物は熱カチオン重合により硬化されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  C08G 59/24 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/52 E ,  C08G 59/24 ,  H01L 33/00 N

Fターム (24件)：

4J036AJ08 ,  4J036AJ11 ,  4J036GA22 ,  4J036JA06 ,  4J036JA07 ,  5F041AA44 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DB03 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F047BA34

引用特許：

出願人引用 (4件)

• エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-192025   出願人：油化シエルエポキシ株式会社
• 光電装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-129078   出願人：日亜化学工業株式会社
• 硬化性エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-327788   出願人：油化シエルエポキシ株式会社
• エポキシ変性芳香族ビニル共役ジエンブロックコポリマーを含む電子回路デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-591099   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー

審査官引用 (1件)

• エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-192025   出願人：油化シエルエポキシ株式会社