特許
J-GLOBAL ID：200903055486938263
炭化珪素半導体へのイオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068225
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 SiC半導体素子を製作する際に、アクセプター原子に加えてC原子を付加的にイオン注入することで良質なp型SiC半導体素子を形成する。【構成】 炭化珪素半導体(SiC)に、アルミニウム(Al)及びホウ素(B)等のアクセプター原子をイオン注入により導入する時、これらの原子に加えて炭素(C)原子を付加的にイオン注入することで、SiCに注入したアクセプター原子の電気的活性化率を向上するとともに熱処理による拡散を抑制することからなる、良質なp型SiC半導体を製作する方法。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体(SiC)にイオン注入によりアクセプター原子を導入する時、これらの原子に加えて炭素(C)原子を付加的にイオン注入することで良質なp型SiCを製作する方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 F
