p型炭化珪素半導体及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219255
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063968
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】ホウ素をドーピングした炭化珪素半導体においてキャリア濃度、活性化率を高くする。【解決手段】炭素と珪素とを含んだガスを流すと同時にホウ素を含んだガスを流すことによりn<SP>- </SP>型炭化珪素半導体層2の上にp型炭化珪素半導体層3を気相成長する際に、結晶成長に寄与する炭素の供給量Q<SB>C </SB>と、結晶成長に寄与する珪素の供給量Q<SB>Si</SB>との間に、1<Q<SB>C </SB>/Q<SB>Si</SB><5の関係を満たしている。形成されたp型炭化珪素半導体層3においては、成分元素である炭素の原子密度d<SB>C </SB>と珪素の原子密度d<SB>Si</SB>との間に、1<d<SB>C </SB>/d<SB>Si</SB>≦32/31の関係があり、浅いアクセプタレベルをもつ高キャリア濃度、高キャリア活性化率となっている。

請求項（抜粋）：

アクセプタ不純物としてホウ素をドーピングした単結晶炭化珪素半導体において、成分元素である炭素の原子密度d<SB>C </SB>と珪素の原子密度d<SB>Si</SB>との間に、1<d<SB>C</SB>/d<SB>Si</SB>≦32/31の関係があることを特徴とするp型炭化珪素半導体。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-124815
SiC単結晶薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-256796 出願人：九州工業大学長, 三菱化学株式会社
シリコン積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-300468 出願人：東燃株式会社

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