特許
J-GLOBAL ID：200903055514170228

磁気記憶装置及びその駆動方法

発明者：
野口 充宏

野口 充宏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074577
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273338
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】データの書き込み動作時及び読み込み動作時におけるデータ選択線に流れる電流の方向を一定にする。【解決手段】強磁性体膜11上に、導電性の非磁性体膜12を介して、強磁性体膜11より保磁力が小さい軟磁性体膜13が形成されている。軟磁性体膜13上に凸部を有するバリアメタル層14が形成されている。バリアメタル層14の凸部の天頂上に金属導電層15が形成されている。そして、全面に層間絶縁膜21が形成されている。金属導電層15が形成されていない領域を中心としてデータ選択線22が形成されている。
請求項（抜粋）：
第1の磁性体と、第1の磁性体より保磁力が小さい第2の磁性体と、第1の磁性体と第2の磁性体との間に介在して形成された非磁性体とを含むデータ転送線と、前記データ転送線に対して交差配置されたデータ選択線とを具備し、第1の磁性体と第2の磁性体との配置間隔は、前記非磁性体中の電気伝導を担うキャリアの平均自由行程より短く、第1の磁性体の磁化容易方向及び第2の磁性体の磁化容易方向は、それぞれ前記データ選択線の長手方向に本質的に平行又は反平行であることを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/16
FI (3件)：
G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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