特許
J-GLOBAL ID：200903055518396522
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226520
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071714
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層5,7のうち少なくとも一方は、結晶化温度が623K以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子1及びこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記対の強磁性層のうち少なくとも一方は、結晶化温度が623K以上である非晶質強磁性材料を含む
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11C11/15
, H01F10/13
, H01F10/32
, H01L27/105
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11C11/15 110
, H01F10/13
, H01F10/32
, H01L27/10 447
5E049AC01
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
