特許
J-GLOBAL ID：200903071989774093
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401185
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204004
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】サイズを縮小化した場合においても十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止し得る磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置を提供すること。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子1は、所定の外部磁場において外部磁場の非印加時に備える磁化の方向を保持する第1の強磁性層3と、上記外部磁場において外部磁場の非印加時に備える磁化の方向が変化し得る第2の強磁性層4と、第1の強磁性層3と第2の強磁性層4との間に介在する第1のトンネル障壁層6とを具備し、第1の強磁性層3、第1のトンネル障壁層4、及び第2の強磁性層6は強磁性トンネル接合を形成し、第2の強磁性層6に含まれる強磁性材料の組成は一般式(CoFe)100-xYxまたは一般式(CoFeNi)100-xYxで表され、前記YはB、Si、Zr、P、Mo、Al、及びNbからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所定の外部磁場において前記外部磁場の非印加時に備える磁化の方向を保持する第1の強磁性層と、前記外部磁場において前記外部磁場の非印加時に備える磁化の方向が変化し得る第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に介在する第1のトンネル障壁層とを具備し、前記第1の強磁性層、前記第1のトンネル障壁層、及び前記第2の強磁性層は強磁性トンネル接合を形成し、前記第2の強磁性層に含まれる強磁性材料の組成は一般式(CoFe)100-xYxまたは一般式(CoFeNi)100-xYxで表され、前記YはB、Si、Zr、P、Mo、Al、及びNbからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034CA00
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
